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电子材料:突破高端产品产业化问题

[ 作者:极速飞艇 日期:2020-03-12 09:35 ]

  近40年来,我国电子&#;材料工业发生了巨大变化。经过多年的发展,,我国在电子材料领域积累了强大的,研究基础,形成了良;好的电子材料开发生态环境,达到了一些领域的国际先进水平。电子材料的发展为我国、电子信息制造!业的发展提供了重要的技术支持。在新时期,随着我国科技&#;实力的提高和崛起,必须加强电子材料工业的支持。这对加快我国经济发展的转变,提高国防力量具有重要的战略意义。

  电子材料是电子信息技术的基础和先导。,是21世纪最重要、最具发展潜力的领域。它是支持电子信息技术发展的重要基本先导产业。。硅单晶晶体管与硅基集成电路的发展成功地导致了以PC为代表。的台式计算机的电子工业革命。,基于砷化镓的半导体激光器的发明使人类进入了光纤通信和高速宽带信息网络的时代。。纵观信息技术的发展历史,不难看出信息技术各个阶段的主要跨越式发展已经,经历了一代材料和设备的创、建。

  改革开放以来,我国电子材,料产业经过40;年的发展,形成了相对完整的电子材料开发体系。更好地&#;支持国内电子信息制造业的发展。中国共产党第十八次全国代表大会。以来,电子材料的发展受到了国。家的高度重!视。“十三五国家战略性新兴产业发展规划”对加快新材料产业创新;发展的指导意见,如“十三五国家战略性&#;新兴产业发展规划”对加快新材料产业创新发展的指导先进电子材料的发展和支持是加快我国电子材料产业发展的重要目标。

  目前,;主要从事电子材料研究;和!生产的1。000多所高校和生产企业。在过去的三年里,随着经济的发展,国内电子产业的经济运行也进入了正常发展,年平均销售收入增长率约为!7%。目前,国内电子材料市场总量超过7000亿元,主要电子材料销售额超过3000亿元。随着技术创新的重要性和质量的提高,中低端电子材料在整个、行业中的比重越来越大。中,高档电子产品的改造和升级正在加快.

  以硅为代表的一代半!导体材料是&#;集成电路制造业的主要基本材料。、在过去的两年里,随着8到12英寸的硅片市场需求的增加,国内硅片制造商已经崛起。上海新胜半导;体技术有限公司,重庆超&#;级硅宁夏银半导体技术有限公司,郑州河井北京研,究中;国!电力有限公司,投资新的扩建和规划。目前,我国已经实现了6!英寸或以下小型硅材料的自给自足,8英寸、硅片工业化的关键技术已经突破了工业化的能!力。12英寸硅片的关键技术已经突破,但工业技术还不成熟。

  以砷化镓磷化镓为代表的。第二代半导体材料在微、波毫米波设备的光电设备等应用领域具有明显的优点。目前,中国电子科技集团公司的4!6家公司已经突破了4英寸半绝缘砷化镓的制备技术,形成了大量的供;应能力,取代了进口产品。6英寸;半绝缘砷化镓单晶已经开发出来,LED采用低阻砷化镓材料,以满足LED行业的需求。中国电子科技集团(ChinaElectr&#;onicTechnologyCommission)、中国科学院(ChinaTechnology)和半4英寸半&#;绝;缘磷化技术已经突破了国际&#;先进水平.

  以碳化硅氮&#;化镓为代表的第三代半导体材料主要用于高频和高功率电力电子设备。国内碳化硅材料开发单位主要是中国电子科技集,团有限公司和46家天科、山,东天岳等4英寸6英寸,半绝缘碳!化硅制备技术已经。突破。实现了4英寸半绝缘炭化硅的小批量供应,低阻碳化硅单晶具有一定的&#;工业化能力,但工业化技术还不,成熟。

  以AlN钻石和Ga2O3为代表的超宽带半导体材料是未来!高频大功率微波功率设备的高压大功率电流电力设备。中国主要开发单。位有中国电子科技集团公司4!6家,,;上海光学机械学院,西安交通大学等。目前,30毫;米ALN单;晶2英寸-Ga2O3单晶和121、2毫米单晶金刚石。

  1.企业规模。小,研发力弱,设备投资不足..我国现有电子材料企业的年收入普遍较小,与大型国际企业相比,研发和设备投资具有;较低的竞争;力。例如,半导体硅材料领域;的新月(半导体材料)和SUMCO的总资产超过30,0亿元。新岳的营业收!入超过150亿元,SUMCO超过130亿元,超过80亿元。外国公司通常使用超过10%的销、售;额来研究和开发设备投资。;我国大部分电子材料企;业的营业收入较少,研发和设备投资较少,难以与大型国际企业竞,争。

  2;.原始创新能力不足,高端产品自给率不高.我;国电子材料、原有创新能力不足。对不同学科之间缺,乏深层交流和原有理&#;论研究。具有独立知识产权的技术不能从源头上支持材料的发展。成熟产品集中在低端产&#;品附加值、低利润、有限的高端产品依赖进口,不利于材料制造商扩大再生产和技术投资。这在很大程度、上限制了&#;电子材料工业的飞跃。

  3.产学与研究的结合并不紧密。材料制造商和应用单位之间的技术障碍并没有形成有效的工,业、大学和研究合作机制。经过一段时!间的艰苦工作,我国许多种电子。材料的性能指标达到了一定水平,但由于其起。步晚于国外,投资也是有限的。因此,在质量一致性和稳定性方面,与外国、产,品不可避免地存在一定的差距,材料开发单位本身的努力更难缩校必须依靠和应用单位的共同努力,通过不断的应用和验证,来解决工业化的发展。

  4.如果创新的研发机制不完善,就很难满足新时期的发展要;求。高端电子&#;材料的发展需要一批具。有扎实基础理论的高层领导者,以掌握世界前沿技术。目前,人才激励相关政策缺乏实施规则和具体指导意见。一些机制难以实施。在知识产权保护成果转化政,策,和制度方面,必须进一步提高科技成果转化率。新技术产品对市场开发!的支持不够。

  1.加&#;强高层规划,完善产,业、政策.加强政府指导&#;,做好高层规划,增加国家鏋侀€熼鑹�政策和财政!支持,,制定电子物资产业发展指导目录和投资指南,完善产业链创新链资本链。突破高端电子材料的、产业化发、展,提高了我国电子信息产业的基本支持和国际竞争力。

  2.鼓励原始创新,提高独立创新水平。创新是引!领发展的第一动力。它、以创新为主导,!鼓励原创新独立创新,为整个行业创!新创造科学氛围。针对国际电。子材料的尖端!技!术,在关键领域形成技术优势,提高独立创新能力,巩!固独立可控的发展基矗

  3.集成优势资源,实现军民一体化与发展。组、织和整合相关优势力量,促进产学研合作,解决关键机制,建立产业联盟,共同发展,互利共赢。;充分借鉴国内外电子材料行业的先进经验。大力发展军民双重利用。技术,,促进军民技术的协同利用和!成果的双向转化,增强科技成果的社会供给。充分发挥军民技术;的共同作用,促进电子材料军民一体化的深入发展。

  4.加强人才培养,积极引进创新人才..实施创新人才发!展战略,建立适合创新人才发展的激励和竞争机制,增加电子材料领域创新人才的培养。同时,吸收国外高水平的技术和、管理人才,为自主创新的发展提供人才支持;。中国电子材料工业协会会长潘林,中、国电子,科技集团46研究所所、长。

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